双腔体等离子体原子层沉积系统 QBT-T
设备详情：
QBT-A 可在任意曲面，如平面、复杂三维结构、多孔基板上沉积高纯度薄膜，且具有优异的台阶覆盖性，适用于微/纳光电子器件、高品质光学和光电子薄膜的制备；此外，通过等离子体的引入，增强了前驱体物质的反应活性，适用于对温度敏感材料和氮化物材料上的薄膜沉积。
原子层沉积（Atomic layer deposition)是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应腔体内并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种技术，具有自限性和自饱和。原子层沉积技术主要应用是在各种尺寸和形状的基底上沉积高精度、无针孔、高保形的纳米薄膜。
等离子体增强原子层沉积 (PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition，PEALD)是对ALD技术的扩展，通过等离子体的引入，产生大量活性自由基，增强了前驱体物质的反应活性，从而拓展了ALD对前驱源的选择范围和应用要求，缩短了反应周期的时间，同时也降低了对样品沉积温度的要求，可以实现低温甚至常温沉积，特别适合于对温度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉积。