高真空磁控溅射系统

技术参数:
1高真空腔体:2个腔体,包括负荷锁及Sputtering,极限真空,极限压力<5e-9 Torr
2排气速率:从ATM到1E-7 Torr<20分钟(负载锁)
3样品台:**4寸Wafer,可加热RT-300ºC
高真空磁控溅射系统

技术参数:
1高真空腔体:2个腔体,包括负荷锁及Sputtering,极限真空,极限压力<5e-9 Torr
2排气速率:从ATM到1E-7 Torr<20分钟(负载锁)
3样品台:**4寸Wafer,可加热RT-300ºC
精简顾问模式,可继续咨询产品参数、适用工况、报价方式、交付周期和合作细节。