高真空磁控溅射系统
技术参数：
1高真空腔体：2个腔体,包括负荷锁及Sputtering,极限真空，极限压力<5e-9 Torr
2排气速率：从ATM到1E-7 Torr<20分钟(负载锁)
3样品台：**4寸Wafer，可加热RT-300ºC
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高真空磁控溅射系统
详细信息 高真空磁控溅射系统
技术参数： 1高真空腔体：2个腔体,包括负荷锁及Sputtering,极限真空，极限压力<5e-9 Torr 2排气速率：从ATM到1E-7 Torr<20分钟(负载锁) 3样品台：**4寸Wafer，可加热RT-300ºC |