采用电阻加热和改进的自蔓延高温合成法，
合成可用于单晶生长的高纯SiC粉料的设备。
可提供半定制化服务
高真空
腔体内壁经镜面抛光，减少气体附着；
各表面严密结合，避免产生泄露；
大抽速泵体，实现快速抽空功能；
高密封性阀体，实现长时间的真空保压。
高精密
高精度数控加工部件；
精密传动部件；
高品质电控系统；
实现运动系统的高精度控制，重复定位无偏差。
全自动
自主开发系统，实现全自动过程；
兼容各种工艺操作流程；
操作权限分级，减少误动作；
自主研发异地网络远程监控SiC操作系统——安全，可靠，便捷，实现无人值守远程控制。
碳化硅原料合成炉(100~150kg,电阻式)
晶体尺寸 100 ~ 150kg
工艺 SHS
加热方式 电阻式
基本参数 主机尺寸 W3150 x D1850 x H4780mm
整机重量 约5T
支持系统 电 源 容 量 280kVA
电 压 380VAC±10%, 3P, 50/60Hz
冷 却 水 压 力 0.3 ~ 0.5MPa
流 量 ＞250L/min
工艺气体 压 力 ＞0.2MPa
压缩空气 压 力 0.5 ~ 1.0MPa