产品介绍：
用于6吋&8 吋的 SiC 晶体生长，装载 SiC粉料和支撑反应腔室
适用机型：
第三代半导体 SiC 长晶炉
产品参数：
基材：等静压石墨(纯度>6N)
特点：纯度高，高导热，传热均匀性好
核心产品详情
长晶坩埚
产品参数
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发货地湖南省长沙市岳麓区
型号长晶坩埚
详细信息
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