产品介绍:
放置 SiC 衬底,用于生长 SiC 外延片
适用机型:
SiC 外延水平6吋&8时机台
产品参数:
基材:等静压石墨(纯度 >6N)
特点:纯度高,热均匀性好
使用寿命:>1500um
产品介绍:
放置 SiC 衬底,用于生长 SiC 外延片
适用机型:
SiC 外延水平6吋&8时机台
产品参数:
基材:等静压石墨(纯度 >6N)
特点:纯度高,热均匀性好
使用寿命:>1500um
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