技术成果
小于le14cm-3的低本底浓度控制技术
小于3%的厚度均匀性控制技术
小于6%的浓度均匀性控制技术
低的位错控制技术，BPD转化效率达99%以上
低的表面缺陷控制技术，表面缺陷密度小于0.2个/cm2
产品概述
利用碳化硅外延设备在自产碳化硅衬底上生长一层高质量的碳化硅单晶薄膜，制成碳化硅外延片。碳化硅外延片经过晶圆制造、封装检测等环节，可制成碳化硅功率器件。
下游产品与应用
碳化硅外延片经过晶圆制造、封装检测等环节，制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，适用于高温、高压、大电流等工作环境，广泛应用于新能源汽车、充电桩、光伏风电、储能、轨道交通、智能电网、工业电源、工业驱动、白色家电等领域。