碳化硅晶体生长炉

产品概述：
主要由炉室组件、上炉室组件、样品支撑机构、测温窗传动组件、真空获得及测量系统、气路系统、水路系统、感应加热系统、自动控制系统等组成。要求设备结构设计稳定，运行平稳，且有多项安全防护设施，质量流量及温度控制精确，整个晶体生长过程由高可靠的可编程计算机控制器（PCC）控制，并可实现过程全自动（CCD）控制、信息记录。

设备用途：
本设备要求采用感应加热方式，在惰性气体（氩气）环境下将石墨坩埚中的碳化硅粉末升华，沉积到碳化硅单晶仔晶上，即物理气相沉积法（PVT法）生长6″碳化硅单晶。