高温氧化炉是半导体器件加工中的典型热处理设备，用于集成电路、分立器件、太阳能光伏行业中进行氧化、退火、合金及烧结等工艺。
高产能，单管产能可达1600片/批；
温控系统性能出色，采用可预测型五段双回路智能温控系统以及新型炉体，控温精度和回温性能优异；
全套倍福系统及总线控制方式，可靠性和信息化化性能优异；
自动上下料系统，采用全自动上下料、在线式插取片对接系统，扩展了设备自动化程度，降低人工劳动强度，减少人工污染。
产能 | 硅片尺寸 | 156×156mm方片 |
单管装片量 | 1600片/批（槽间距2.38mm） | |
工艺类型 | 高温氧化、退火工艺 | |
温度控制系统 | 控温方式 | 5段双回路串级控制 |
控温范围 | 600℃～1100℃ | |
恒温区长度及精度 | ≤±0.5℃/1600mm（801℃～1100℃） ≤±1℃/1600mm（400℃～800℃） | |
单点稳定性 | ±0.5℃/24h(静态，900℃) | |
炉体升降温速率 | **升温20˚C/min；**降温5˚C/min | |
气路系统 | 流量控制方式 | 氮气、氧气流量由MFC控制；保护氮气由浮子流量计控制 |
气体控制精度 | ±0.5%FS | |
送舟机构 | 水平推舟速率 | 1～400mm/min 连续可调，定位精度≤±1mm |
垂直升降速率 | 8～12mm/min | |
石英舟进出方式 | 软着陆、在线式（净化台侧出舟） | |
SiC桨**承载 | 25Kg | |
控制系统 | 工艺监控方式 | 工业平板电脑全自动控制（触摸屏操作） |
自动控温功能 | 具有自动斜率升降温及恒温功能 | |
工艺历史记录功能 | 核心工艺参数（温度、压力、流量、功率、电流、淀积时间）每3秒记录一次，其他过程每10秒记录一次。 | |
报警保护功能 | 设备具有工艺状态声光提醒，以及计算机异常、超温报警与欠温、MFC偏差、反应室压力偏差、极限超温报警和保护功能； | |
其他参数 | 设备峰值功率 | 280 KVA（5管） |
保温功率 | 75 KVA（5管） | |
设备柜体尺寸 | 7440mm(长）×2020mm（宽）×3530（高） | |
设备利用率 | ≥98% |