硅晶圆作为集成电路基底材料，具有电阻率、氧碳含量可控的特点。单晶锭经过线切割、磨片、抛光、清洗等工序的作用，得到具有特定厚度和几何参数以及表面洁净的硅晶片。主要用于逻辑芯片（Logic）、闪存芯片（3D NAND & Nor Flash）、动态随机存储芯片（DRAM）、图像传感器（CIS）、显示驱动芯片（Display Driver IC）等，并在12英寸重掺砷低电阻率2.3—3毫欧、重掺红磷低电阻率1.3毫欧上取得突破。
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详细信息 硅晶圆作为集成电路基底材料，具有电阻率、氧碳含量可控的特点。单晶锭经过线切割、磨片、抛光、清洗等工序的作用，得到具有特定厚度和几何参数以及表面洁净的硅晶片。主要用于逻辑芯片（Logic）、闪存芯片（3D NAND & Nor Flash）、动态随机存储芯片（DRAM）、图像传感器（CIS）、显示驱动芯片（Display Driver IC）等，并在12英寸重掺砷低电阻率2.3—3毫欧、重掺红磷低电阻率1.3毫欧上取得突破。 |