尺寸：
• 5 mm x 5 mm x 70 mm
• 5 mm x 5 mm x 100 mm
• 6 mm x 6 mm x 100 mm
电阻： 大于 200 欧姆·厘米
生产方式： FZ（浮区法）
掺杂元素： 磷 (P)
晶向： 111
掺磷（掺P）籽晶是在半导体材料，尤其是硅晶体生长过程中使用的一种技术。在硅晶体的生长过程中，通过在硅中掺入磷原子，可以改变硅的电学性质，使其从本征半导体转变为N型半导体。
掺磷籽晶的基本原理
• 掺杂: 在半导体制造中，掺杂是向纯净的半导体材料中引入少量的杂质原子的过程，目的是改变材料的电导率。磷作为一种五价元素，当掺入四价的硅晶格中时，磷原子会有一个额外的电子，这个电子可以自由移动，增加材料的导电性。
• N型半导体: 掺入磷后的硅晶体是N型半导体，因为多出的自由电子成为了主要的电荷载体。
掺磷籽晶的应用
• 电子器件制造: 掺磷的硅晶体是制造各种电子器件（如晶体管、二极管、集成电路等）的基本材料。
• 太阳能电池: 在太阳能电池制造中，掺磷硅也被广泛使用来提高电池的效率和性能。