基于陶瓷材料技术所开发的氮化硅制品具有高强度，高韧性，高导热率，根据这些特性，产品被广泛用于要求拥有高信赖性材料的功率半导体基板领域。
和氧化铝基板或氮化铝基板相比，约有两倍以上的抗弯强度。
和氧化铝基板或ZTA基板相比、拥有三倍以上的热导率。
高电绝缘性
热膨胀系数与硅相近
氮化硅基板尺寸
主要项目 | 规格 | 指标 |
基板尺寸mm | 100*100，114.3*114.3 ,138*190.5 | ±0.1mm |
基板厚度 | 0.254，0.32,0.5,0635,1.0 | ±0.02mm |
氮化硅产品性能：
主要项目 ltem | 单位 Unit | 指标 Test Standard | ||
颜色 Colour | s…… | 灰色 | ||
密度 Density | G/cm3 | 3.22 | ||
热导率 Thermal conductivity | 25℃ W/(m.k) | 80～85 | ||
介电常数 Dielectric constant | 1 MHz | 8～10 | ||
击穿强度 | Kv/mm | ≥15 | ||
抗折强度 Flexural Strength | Mpa | ≥800 | ||
维氏硬度 Vickers hardness | Gpa | ≥15 | ||
翘曲度 warpage | (长边）‰ | ≤2 | ||
表面粗糙度 Surface roughness | um | 0.2～0.4 | ||
热彭胀系数 Coefficient of thermal expansion | 10-6 | 20～300℃ | 2.7 | |
300～800℃ | 3.2 | |||
体积电阻率 | 20℃.ù.cm | ≥1014 | ||