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碳化硅pvt培育的长晶

参考价 面议 浏览 0 更新 2025-11-15 10:54 返回产品列表

产品参数

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品牌东尼电子
价格0.00
发货地浙江省湖州市吴兴区
型号碳化硅pvt培育的长晶
范围W63-W0.5

详细信息

PVT法长晶

籽晶粘结成功率可以接近100%,平均生长速度0.13-0.16mm/h,晶体利用率更高,更加适合6~8寸晶体的生长,单位晶体成本更低。同时具有高可靠性,热场和工艺调节更便捷,更加适合规模化生产,这些优势在生长大尺寸晶体时尤其明显。


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