东尼采用的前沿技术突破了碳化硅单晶材料的大直径生长、多型控制、应力和位错缺陷降低等关键问题，解决了碳化硅晶体生长缺陷数量的控制和晶体品质的瓶颈问题，从而得到高质量、大尺寸的碳化硅单晶材料。
通过采用多重物理量有限元素工程分析软件，优化长晶热场、流场，获得**的径向温度梯度
采用碳化钽涂布工艺技术，抑制热场中杂质的挥发，提高晶体品质
优化研磨技术与特殊抛光工艺技术，提高量产良率和晶体品质的一致性
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SiC碳化硅
详细信息 东尼采用的前沿技术突破了碳化硅单晶材料的大直径生长、多型控制、应力和位错缺陷降低等关键问题，解决了碳化硅晶体生长缺陷数量的控制和晶体品质的瓶颈问题，从而得到高质量、大尺寸的碳化硅单晶材料。
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