适用于镍电极片式陶瓷电容器芯片在氮(氢)气氛下进行高温烧结，使芯片介质成为致密的陶瓷，保证产品各种参数、性能稳定。
技术参数：
外形尺寸(约) | ≤L×W×H=3250×4430×3700(mm) |
**工作温度 | 1400℃ |
使用温度 | 1320℃ |
控温精度 | ±1℃ |
**功率(约) | 88KW |
具备快速升温功能 | 要求从500℃到1300℃，升温速率能达到900℃/H以上，且能稳定使用。 |
载台可自动旋转 | 旋转速度可调，**转速1转/min |
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钟罩式快速升温炉
详细信息 适用于镍电极片式陶瓷电容器芯片在氮(氢)气氛下进行高温烧结，使芯片介质成为致密的陶瓷，保证产品各种参数、性能稳定。 技术参数：
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