技术参数：
**温度 | 1000℃ |
工作温度 | 850℃ |
控温精度 | ±1℃（以仪表显示为准） |
炉膛截面均匀度 | ±3℃(无气氛的状态下，恒温区左、中、右用测温仪测) |
炉内气氛 | 空气 |
表面温升 | ≤45℃（以表面测温仪测定为准） |
**加热功率 | 约45kW |
保温功率 | 约21kW(在850℃) |
电源 | 380VAC 50Hz 三相五线制 |
传送速度 | 40－240mm/min 常用150mm/min |
加热方式 | 耐高温发热板上下加热 |
适用于高容、高压镍电极片式陶瓷电容器芯片快烧工艺，中在氮气氛下进行再氧化工艺烧结，可以代替日本、韩国进口再氧化炉。