希科半导体科技（苏州）有限公司专注于第三代半导体核心关键材料—6英寸碳化硅外延晶片（SiC Epitaxy Wafer）的研发与产业化。产品主要用于制造SiC SBD、SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT等碳化硅电力电子器件。 希科半导体科技（苏州）有限公司专注于第三代半导体核心关键材料—6英寸碳化硅外延晶片（SiC Epitaxy Wafer）的研发与产业化。产品主要用于制造SiC SBD、SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT等碳化硅电力电子器件。 希科半导体科技（苏州）有限公司专注于第三代半导体核心关键材料—6英寸碳化硅外延晶片（SiC Epitaxy Wafer）的研发与产业化。产品主要用于制造SiC SBD、SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT等碳化硅电力电子器件。 希科半导体科技（苏州）有限公司专注于第三代半导体核心关键材料—6英寸碳化硅外延晶片（SiC Epitaxy Wafer）的研发与产业化。产品主要用于制造SiC SBD、SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT等碳化硅电力电子器件。
N型6英寸碳化硅外延晶片