作为第三代半导体材料，氮化镓 (GaN) 具有优越的禁带宽度（远高于硅和碳化硅）、热导率、电子迁移率以及导通电阻。由于高温下GaN生长过程中N的离解压力较高，很难获得大尺寸的GaN单晶材料，所以在异质衬底上制备外延GaN薄膜已经成为研究GaN材料和器件的主要方法。目前，GaN外延生长方法有氢化物气相外延（HVPE）、分子束外延（MBE）、金属有机化合物化学气相沉淀（MOCVD）。目前，大多数商用器件都是基于GaN异质外延的，主要衬底是碳化硅（SiC）、硅（Si）和蓝宝石（Sapphire）。产品描述 我们提供2、4、6英寸硅或碳化硅基氮化镓(GaN on SiC/Si) HEMT 外延片，也可提供蓝宝石基氮化镓（GaN on Sapphire）HEMT外延片 SiC/Si基GaN HEMT典型外延结构 1.GaN on SiC HEMT外延 该外延材料结合了SiC优异的导热性能和GaN高频和低损耗性能，所以GaN on SiC 热导率高，使得器件可以在高电压和高漏电流下工作，是射频器件的理想材料。目前， GaN-on-SiC外延片主要应用于5G基站、国防领域射频前端的功率放大器（PA）。 2.GaN-on-Si HEMT外延 由于使用Si衬底材料,可在大直径硅晶圆上外延GaN且具有与传统Si工艺兼容等优势,成为功率半导体技术发展的理想选择。GaN on Si HEMT外延有常开型即耗尽型（D型）和常关型即增强型（E型）两种。 Si基和SiC基GaN HEMT结构性能对比 项目 GaN on SiC GaN on Si 晶格失配 3.50% 16.90% 热膨胀系数 25% 56% 缺陷密度 5E+8/cm2 1E+9/cm2 漏电流 大 大 集成可能性 中等 高 3.GaN-on-Sapphire HEMT外延 该外延结构具有良好的均匀性、高击穿电压、极低的缓冲区泄漏电流、高电子浓度、高电子迁移率和低方块电阻，用于射频和功率半导体器件。在蓝宝石衬底上生长的 GaN HEMT 可以通过将器件倒装芯片键合到导热和电绝缘的衬底（例如氮化铝陶瓷）上来实现热管理。 GaN on Sapphire HEMT典型外延结构 注：从2023年8月1日起，出口该产品需要出口许可证；国内供应不受影响
氮化镓外延GaN Epi