氮化镓（GaN）是二十世纪九十年代以来常用于发光二极管的二元III / V直接带隙半导体。该化合物是一种非常坚硬的材料，具有纤锌矿晶体结构。其3.4 eV的宽带隙为光电，高功率和高频器件的应用提供了特殊的性能。例如，GaN是使紫色（405nm）激光二极管成为可能的基板，而不使用非线性光学倍频。它对电离辐射的敏感性很低（与其他III族氮化物一样），使其成为卫星太阳能电池阵列的合适材料。由于设备在辐射环境中表现出稳定性，因此军事和太空应用也可能受益。由于GaN晶体管可以在更高的温度下工作，并且工作电压比砷化镓（GaAs）晶体管高得多，因此它们可以在微波频率下制造理想的功率放大器。此外，GaN为THz器件提供了有前景的特性。
2. 自支撑氮化镓晶片特性 晶格参数 a=0.3189nm; c=0.5185nm 带隙 3.39eV 密度 6.15g/cm3 热膨胀系数 a: 5.59×10-6/K; c: 3.17×10-6/K 折射率 2.33-2.7 介电常数 9.5 热导率 1.3W/(cm*k) 击穿电场 3.3MV/cm 饱和漂移速度 2.5E7cm/s 电子迁移率 1300cm2/(V*s) 注：从2023年8月1日起，出口该产品需要出口许可证；国内供应不受影响产品描述 1. 氮化镓单晶片规格 2. 自支撑氮化镓晶片特性 晶格参数 a=0.3189nm; c=0.5185nm 带隙 3.39eV 密度 6.15g/cm3 热膨胀系数 a: 5.59×10-6/K; c: 3.17×10-6/K 折射率 2.33-2.7 介电常数 9.5 热导率 1.3W/(cm*k) 击穿电场 3.3MV/cm 饱和漂移速度 2.5E7cm/s 电子迁移率 1300cm2/(V*s) 注：从2023年8月1日起，出口该产品需要出口许可证；国内供应不受影响