该设备用于8英寸、12英寸半导体晶圆减薄、抛光工艺。
基本信息
1. 适用产品：8/12inch 硅基晶圆减薄、抛光
2. 可对应*薄产品：≥50μm(DBG工艺：≥25μm)
3. 研磨速度：0.01μm/s~80μm/s
4. 适用物料厚度：≤1.8mm
5. 加工品质：TTV≤2.5μm，WTW 士2.5μm，Ra≤0.005μm
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MX-SSG 半导体晶圆研抛一体设备
详细信息 该设备用于8英寸、12英寸半导体晶圆减薄、抛光工艺。 基本信息
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