高纯钨是一种制造集成电路的基本材料。材料形状可以是箔膜，薄片，靶材，细丝，绝缘线，直棒，圆管，粉末，单晶体等。广泛用作半导体大规模集成电路的门电路电极材料、布线材料和屏蔽金属材料。
高纯钨的制备方法可分为粉末冶金法、熔炼法和化学气相沉积法。
高纯钨及其硅化物用于大规模集成电路作为电阻层、扩散阻挡层等以及在金属氧化物半导体型晶体管中作为门材料及连接材料
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详细信息 高纯钨是一种制造集成电路的基本材料。材料形状可以是箔膜，薄片，靶材，细丝，绝缘线，直棒，圆管，粉末，单晶体等。广泛用作半导体大规模集成电路的门电路电极材料、布线材料和屏蔽金属材料。 高纯钨的制备方法可分为粉末冶金法、熔炼法和化学气相沉积法。 高纯钨及其硅化物用于大规模集成电路作为电阻层、扩散阻挡层等以及在金属氧化物半导体型晶体管中作为门材料及连接材料
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