适用于碳化硅原料合成也可用于碳化硅晶体生长，采用中频感应电源加热方式，上取放料、坩埚轴快慢速移动。
技术参数 | |
生长工艺 | PVT |
生长尺寸 | 6-8英寸 |
产品类型 | 非标定制 |
加热方式 | 感应加热（中频感应加热） |
**温度 | 2400℃ |
系统停泵关机12小时后真空度 | ≤5Pa |
控制方式 | PLC集成控制 |
系统极限真空度 | ≤7×10-5 Pa (经烘烤除气后) |
系统真空检漏漏率 | ≤5.0×10-7 Pa.l/S |
冷却方式 | 循环水路系统 |
适用于碳化硅原料合成也可用于碳化硅晶体生长，采用中频感应电源加热方式，上取放料、坩埚轴快慢速移动。内壁氩弧焊接，内表面镜面抛光，反射热量，减少功率损耗，减少气体附着。自主研发控制系统，实现自动化稳定、安全、操作便捷。适用于碳化硅原料合成也可用于碳化硅晶体生长，采用中频感应电源加热方式，上取放料、坩埚轴快慢速移动。内壁氩弧焊接，内表面镜面抛光，反射热量，减少功率损耗，减少气体附着。自主研发控制系统，实现自动化稳定、安全、操作便捷。