技术参数 | |
生长工艺 | PVT |
生长尺寸 | 6-8英寸 |
产品类型 | 非标定制 |
加热方式 | 感应加热（中频感应加热） |
**温度 | 2400℃ |
控制方式 | PLC集成控制 |
系统极限真空度 | ≤5.5×10-5 Pa (经烘烤除气后) |
系统真空检漏漏率 | ≤5.0×10-7 Pa.l/S |
冷却方式 | 循环水路系统 |
系统停泵关机12小时后真空度 | ≤3Pa |
双层立式石英管水冷结构提供稳定的长晶环境，利于生长高品质晶体，上下温度实时精确监控便于工艺调试，采用上下双测温精确监控提供更优的工艺调整，碳化硅感应式长晶炉适用于生长高纯度碳化硅单晶、高纯度碳化硅原料合成等