1、产品信息
密度: 约6.5-6.8 g/cm³,稍低于碲化铜,这是由于锑原子量小于铜的缘故。这种高密度有利于提高材料的热稳定性和机械强度。
熔点: 约 585°C,比纯锑和碲的熔点都高,这是因为化合物结构更加稳定。
晶体结构: 呈菱镜晶系,具有层状结构。这种晶体结构有利于优化热电性能。
电学性质: 为p型半导体,电导率在10^4-10^5 S/m量级。适合制备热电设备。
热电性能: 具有较高的Seebeck系数和热电优值ZT,在300-600K温区表现优异,用作热电材料
化学稳定性: 在空气中较为稳定,但在酸碱环境下容易发生分解反应。
加工性: 脆性较强,需要特殊的粉末冶金工艺来成型。
2、产品规格
1、样品测试包装客户指定（＜1kg/袋装）
2、样品产品包装（1kg/袋装）
3、常规产品包装（1kg/2kg/5kg/10kg）
备注：内：充惰性气体 外：铝箔袋真空。可根据客户要求指定包装。
3、产品概述
产品通过“选用净化原料+生产纯化工艺+品控智能控制”制备生成，产品具有技术含量高、晶相纯、磁性异物少、含水量低、化学性能稳定的特点。
4、产品用途
热电材料:碲化锑具有优异的热电性能,Seebeck系数高,热电优值ZT也较高。可用于制造热电发电设备和制冷设备,广泛应用于汽车排废热回收、太阳能发电等领域。
相变储能材料:碲化锑具有可逆的相变特性,可以在相变过程中吸收或释放大量的潜热。用于制造相变储能材料,应用于电子设备、建筑节能等领域。
光电器件:碲化锑是一种直接带隙半导体,可用于制造红外探测器、光伏电池等光电器件。在光通信、光电探测等领域有潜在应用前景。
电池负极材料:碲化锑具有良好的电化学性能,可用作锂离子电池、钠离子电池的负极材料。有助于提高电池的能量密度和循环性能。
其他用途:由于优异的热电性能,碲化锑还可用于制造温度传感器、热电制冷器等器件。此外,碲化锑薄膜也可用于制造相变存储器件、热光电转换器等先进电子器件。