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上海沃埃得贸易有限公司

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Maximum sample size (Small board) - 15mm x15mm **样品尺寸:15mm x15mm (可定制) Measurement Temperature: 300K (room temperature)， optional 77K. 测试温度: 室温、可选配液氮低温77K Measurement Material: Semiconductors material such as

Si， SiGe， SiC，GaAs， InGaAs， InP， GaN， ITO (N Type & P Type)

测试材质:半导体类材质、如：

Si， SiGe， SiC， ZnO， GaAs， InGaAs， InP， GaN， ITO等所有半导体薄膜(P型和N型) Magnet Flux Density: 0.68 Tesla nominal ±1% of marked value 磁场强度: 0.68 Tesla ±1% Magbnet Stability: ±2% over 1 years 稳定性: ±2% （一年后） Uniformity: ± 1% over 20mm diameter from center 均匀度：± 1%(20mm直径圆范围内) Pole Gap: 20 mm 磁极间隙：20毫米 Input voltage range: 1μV to 300V 输入电压范围：1μV ~300V Hall voltage range: 10uV to 2000mV 霍尔电压范围: 10uV to 2000mV Resistivity (Ohm.cm): 10^-5 to 10⁷ 电阻率 (Ω.㎝): 10^-5 to 10⁷ Mobility (cm²/Volt.sec): 1 ~ 10⁷ 迁移率(cm²/Volt.sec): 1 ~ 10⁷ Carrier Density (cm^-3): 10⁷ ~ 10²¹ 载流子浓度(1/cm³): 10⁷ ~ 10²¹