晶片尺寸:4/6/8英寸
Nafer size: 4/6/8 inches
ウェーハサイズ：4/６/８インチ
制程温度范围:300-2200℃
Maximum heater temperature: 2200℃
プロセス温度範囲：300-2200℃
加热器**温度:2200℃
Maximum heater temperature: 2200℃
ヒーター**温度：2200℃
控温段数:多段控温
Number of temperature control sections:
multisections temperature control
温度制御セクション数：多段階温度制御
炉腔压力:10MPa(**)
Chamber pressure:10MPa(Maximum)
炉室圧力：10MPa(**)