本设备主要用于碳化硅（SiC）单晶生长。液相法可以在更低的温度（＜2000℃）以下实现SiC单晶的生长，理论上更容易获得高质量的单晶。利用温度梯度作为生长驱动力来实现晶体的生长。
核心产品详情
液相法长晶炉
产品参数
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发货地山东省济南市槐荫区
型号液相法长晶炉
范围广泛
应用行业广泛
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