1、简述：α相纳米氮化硅因其高硬度，高热导率，高绝缘性，高温抗氧化和强抗热冲击性等优异的热力学性能和机械性能，是第三代半导体陶瓷基板的较优原料。尤其在大功率、高电压、高电流的IGBT（绝缘栅双极晶体管）功率模块领域，氮化硅的综合性能较佳。本基地基于纳米硅基础，开发出一种新型α相纳米氮化硅材料的规模化生产技术，该工艺氮化温度低，α相成分高，制备成本大大降低，打破了日本对中国高端氮化硅原料的封锁。
2、应用：5G时代的第三代半导体陶瓷基板是α相纳米氮化硅的**驱动力。5G时代各元器件的发热功率大幅度增加，必须使用陶瓷基板散热。氮化硅具有高导热系数、高电流载荷特性，是综合下来较有前途的材料。然而氮化硅陶瓷基板的原料——α相纳米氮化硅目前极度短缺，仅日本宇部公司生产，且限制出口。国内厂家的氮化硅粉体多数为β相微米级氮化硅，可以满足低端使用。α相纳米氮化硅的竞争对手包括：中材高新、山东国瓷、科盛陶瓷、中兴实强、宇部兴产、京瓷、北洋精工。直接下游包括各大陶瓷基板厂，如日本丸和，九豪精密，美国Rogers，国内有福建华清，海古德，艾森达，山东的工陶院，泰晟等。间接下游包括各大陶瓷基板加工的线路板企业，如深圳金瑞欣，斯利通，山东银河高科等。
3、产品性能参数：本工艺基于一种新型**工艺，可大规模（十吨级以上）低成本生产高性能纳米氮化硅材料，工艺简单。
本产品与市场产品性能对比