SiC与GaN晶圆氧化工艺设备，工艺时间短，生产效率高，具有出色的工艺性能。
设备特点
◎ 型号:OXIDE150
◎ 工艺温度:1380℃~1500℃
◎ 工艺气体:H₂/N₂O/NO/O₂/Ar₂/N₂
◎ 工艺压力:100mbr-Atmospher
◎ 晶圆尺寸:≤150mm
◎ 产能:25或50 片/批
◎ 正常UP Time:98%
◎ 全自动化系统和MES服务
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高温氧化炉
详细信息 SiC与GaN晶圆氧化工艺设备，工艺时间短，生产效率高，具有出色的工艺性能。 设备特点 ◎ 型号:OXIDE150 ◎ 工艺温度:1380℃~1500℃ ◎ 工艺气体:H₂/N₂O/NO/O₂/Ar₂/N₂ ◎ 工艺压力:100mbr-Atmospher ◎ 晶圆尺寸:≤150mm ◎ 产能:25或50 片/批 ◎ 正常UP Time:98% ◎ 全自动化系统和MES服务 |