SAB8210CW是一款全自动C2W混合键合设备，既可以使用有图案芯片进行C2W混合键合，实现Cu-Cu高密度互联；也可以使用无图案的裸芯片进行C2W亲水性键合，形成重组晶圆后，再进行后续的芯片图案化。
项目
指标
TF工位
2
FOUP工位
2
键合压力范围
1~300N
键合后精度
≤±500nm@片间同轴对准
≤±200nm@红外穿透对准Chip尺寸
5*8mm—50*50mm（红外穿透对准，Tape Frame形式上料）
0.5*0.5mm—50*50mm（片间同轴对准，Tape Frame形式上料）Wafer尺寸
Φ200mm、Φ300mm
UPH
400~2000UPH（单键合头）
工艺能力
Cu-SiO2，混合键合;Cu/SiCN 混合键合
多模块一体化集成
活化、清洗、解UV、芯片拾取、对准、键合、检测