一、设备概述：
卧式氧化炉设备可应用于集成电路、分立器件、 POWER、 MEMS等多种领域，适用于4-8英寸晶圆芯片的氧化、扩散、GPP、退火、合金等工艺。
氧化工艺是将硅片放置于氧气或水蒸气的氛围中进行高温热处理，在硅片表面形成氧化膜的过程，可作为离子注入的阻挡层及注入穿透层、表面钝化、器件结构的介质层等
二、设备参数类型：
设备性能指标 | ||
1 | 操作方式 | 根据客户操作可定左/右手操作 |
2 | 管路数 | 1-5管 |
3 | 加工晶圆尺寸 | 4-8寸 |
4 | 适用工艺 | 扩散（磷扩、硼扩）、氧化（干氧、合成）、玻璃钝化（GPP）、退火、合金、铝预沉积 |
5 | 工艺指标 | 氧化膜厚均匀性（膜厚5000Å） IW≤2%，W2W≤3%，R2R/D2D≤3% |
6 | 温度校准功能 | 具有自动校准温区功能，具有预先写入偏差值快速拉温区功能 |
7 | 控温模式 | Spike控温+Profile串级控温 |
8 | 控制系统结构 | 一体工控机+PLC |
9 | 报警保护: | 具有超温报警，断偶报警，气体互锁，气体缓启动等功能 |