一、设备概述：
主要应用于 3-6 英寸磷化铟、磷化镓III-V 族化合物半导体晶体材料单晶生长工艺，自动控制系统。
二、设备参数类型：
设备性能指标 | ||
1 | 操作方式 | 手动 |
2 | 管路数 | 1管 |
3 | 加工晶圆尺寸 | 4-6寸 |
4 | 适用工艺 | 单晶生长 |
5 | 工艺温度范围 | 800-1250℃ |
6 | 恒温区长度 | 300-800mm |
7 | 控温精度 | ±0.2℃/＞1280℃恒温区内 |
8 | 单点温度稳定性 | ±0.2℃ |
9 | 温度校准功能 | 具有预先写入偏差值快速拉温区功能 |
10 | 进出料方式 | 手动 |
11 | 控温模式 | Spike控温 |
12 | 控温点数 | 4-6点 |
13 | 真空机组： | 直连泵 |
14 | 系统极限真空度： | ＜10Pa |
25 | 抽速： | 抽至极限真空时间＜10Min。 |
16 | 高压腔设计压力 | 5MPa |
17 | 工作压力范围： | 10 mTorr~500mTorr可调 |
18 | 控制系统结构 | 一体工控机+PLC |
19 | 报警保护: | 具有超温报警，超压报警，断偶报警，气体互锁，气体缓启动等功能 |