立式LPCVD低压气相沉积炉

立式LPCVD低压化学气相淀积设备是半导体集成电路制造的重要工序之一，本设备主要用于：8-12英寸硅片SiO2-LTO TEOS、SIPOS-含氧多晶硅、SI3N4-氮化硅、BPSG-磷硅玻璃、POLY-多晶硅、TEOS-氧化硅薄膜的生长。它是将原材料气体（或者液态源气化）用热能激活发生化学反应而在基片表面生成固体薄膜。低压化学气相淀积是在低压下进行的，由于气压低，气体分子平均自由程大,使生长的薄膜均匀性好,而且基片可以竖放而装片量大，特别适用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的工业化生产专用设备，采用电脑工控机软件控制方式，是其性能技术指标已经达到国际先进技术水平。