◆ 设备采用分段式高纯度石墨电阻加热及热场结构，温场均匀性好；
◆ 通过气流路径优化与热场防护技术，具有高腐蚀性气氛下排杂、杂质的定向沉积与热场稳定的特点；
◆ 可满足高品质碳化硅原料合成;设备**装料量达到100KG，大幅提升了原料合成效率。
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碳化硅原料合成炉 HC-SCET1000系列
详细信息 ◆ 设备采用分段式高纯度石墨电阻加热及热场结构，温场均匀性好； ◆ 通过气流路径优化与热场防护技术，具有高腐蚀性气氛下排杂、杂质的定向沉积与热场稳定的特点； ◆ 可满足高品质碳化硅原料合成;设备**装料量达到100KG，大幅提升了原料合成效率。 |