◆ 设备采用TSSG法长晶,可获得更高质量的晶体;
◆ 配备CCD晶体直径监测系统、厚度监测系统,实时监测晶体生长状态以提升长晶效率;
◆ 配合扩径工艺,可实现大尺寸碳化硅单晶生长,同时可获得高载流子浓度的P型碳化硅单晶。
◆ 设备采用TSSG法长晶,可获得更高质量的晶体;
◆ 配备CCD晶体直径监测系统、厚度监测系统,实时监测晶体生长状态以提升长晶效率;
◆ 配合扩径工艺,可实现大尺寸碳化硅单晶生长,同时可获得高载流子浓度的P型碳化硅单晶。
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