项 目 | 高温氧化炉 |
功 能 | • 用于SiC、GaN等高温氧化工艺 • 满足真空/气氛高温氧化工艺 |
重要参数 | • **晶圆尺寸：满足6寸以下晶圆工艺要求 • **载片量：50片/批 • **加热温度：1500℃ |
装卸片方式 | • 立式垂直升降 • 立式真空密封系统 |
拉普拉斯新能源科技股份有限公司（LAPLACE Renewable Energy Technology Co., Ltd.）成立于2016年，是一家由多位海内外半导体设备领域高端人才创立的高科技高端装备研发制造企业。拉普拉斯致力于成为**的泛半导体领域核心工艺解决方案提供商。
拉普拉斯现有人数规模超过1840人，公司拥有一支包含多名外籍专家和多名博士在内的核心研发团队，研发人员占比14.89%，技术人员占比27.28%。公司在深圳坪山区拥有一座8000平方米的研发中心和生产厂房，公司在无锡占地137亩，一期**栋厂房13000平方米已建设完成并投入使用，可满足单月产能400台套以上的生产需求，未来2-3年将快速完成二期和三期的工厂建设规划。