晶体生长方法：CZ/MCZ
导电型号：P/N
直径：50-350mm
掺杂物：硼/磷
电阻率：0.001-100.Ω.cm
少子寿命：>10µs
晶向：<100>、<110>、<111>
熔点：1420℃
密度：2.33g/cm3
位错密度：无位错
纯度：6N-9N
氧含量（ppma）：≤20
碳含量（ppma）：≤1.0
电阻率晶向不均匀度：<15%
外观：无划痕、缺口等不良现象
单晶硅 新闻中心
商品分类
联系方式站内搜索 荣誉资质
友情链接
|
单晶硅
详细信息 晶体生长方法：CZ/MCZ 导电型号：P/N 直径：50-350mm 掺杂物：硼/磷 电阻率：0.001-100.Ω.cm 少子寿命：>10µs 晶向：<100>、<110>、<111> 熔点：1420℃ 密度：2.33g/cm3 位错密度：无位错 纯度：6N-9N 氧含量（ppma）：≤20 碳含量（ppma）：≤1.0 电阻率晶向不均匀度：<15% 外观：无划痕、缺口等不良现象 |