产品规格书
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蓝宝石基氮化镓HEMT外延（2~8inch） | ||||
衬底直径 | 50.8mm | 100mm | 150mm | 200mm |
蓝宝石衬底厚度 | 430μm | 650μm | 1000μm | 1600μm |
蓝宝石衬底表面 | FSS/PSS/NPSS | FSS/PSS/NPSS | FSS/PSS/NPSS | FSS/PSS/NPSS |
蓝宝石衬底晶向 | C-Plane | |||
外延结构图 | ||||
介绍：蓝宝石基氮化镓（HEMT）外延是一种在蓝宝石衬底上生长的氮化镓（GaN）基半导体结构，其核心优势在于高电子迁移率和优异的耐高温、耐高压性能。
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应用：5G通信基站、雷达和卫星通信等射频器件；快速充电器、电动汽车和工业电源等功率电子器件；LED和激光二极管等。
介绍：蓝宝石基氮化镓（HEMT）外延是一种在蓝宝石衬底上生长的氮化镓（GaN）基半导体结构，其核心优势在于高电子迁移率和优异的耐高温、耐高压性能。
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应用：5G通信基站、雷达和卫星通信等射频器件；快速充电器、电动汽车和工业电源等功率电子器件；LED和激光二极管等。