介绍：氮化镓（GaN）是氮和镓的化合物，是一种III和V的直接能隙的半导体。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特。具有高热导率、高击穿电压、高效率，适合高性能电子和光电子应用。
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应用：用于高端激光芯片等；应用于激光显示技术，如家庭影院、商业投影、AR/VR设备、车载显示等；用于5G通信基站、卫星通信、雷达系统等高频高功率场景。紫外探测器、高亮度LED、高效率功率转换器、电动汽车充电器等。
产品规格书
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氮化镓单晶衬底（2~4英寸） | |||
直径 | 50.8 mm | 76.2mm | 100mm |
厚度 | 400μm | 450μm | 450μm |
端面晶向 | （0001） ± 0.2°Ga face | ||
斜切角（C偏M） | 0.5°C-plane off angle toward M-axis | ||
斜切角（C偏A） | 0.0°C-plane off angle toward A-axis | ||
主定位边晶向 | M-plane (10-10) ± 2.0˚ | ||
主定位边长度 | 16mm | 22mm | 32mm |
次定位边晶向 | Ga face up: 90.0˚ CW from Primary ± 5.0˚ | ||
次定位边长度 | 8mm | 11mm | 18mm |
正面状态 | ≤ 0.3 nm(10μm ×10μm) | ||
反面状态 | Polished; Etched | ||
镭刻码面 | Back side：N-Face | ||
总厚度偏差TTV | ≤15μm | ≤25μm | ≤30μm |
弯曲度BOW | ≤20μm | ≤30μm | ≤40μm |
翘曲度WARP | ≤30μm | ≤45μm | ≤60μm |
边缘去除 | ≤5 mm | ||
电学参数 | 掺杂元素 | 电阻率 | / |
Semi-Insulating (Carbon) | ≥1E8 ohm-cm | / | |
N-type (Silicon) | ≤0.02 ohm-cm | / | |
UID（Undoped） | ≤0.2 ohm-cm | / | |
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产品性能表
氮化镓单晶衬底（2~4英寸） | |
晶体结构 | 六方晶体 |
禁带宽度(eV) | 3.45eV |
熔点（℃） | 2400℃ |
莫氏硬度(mohs) | 9.5 |
热导率(W·cm-1·℃-1) | 1.3W·cm-1·℃-1 |
热膨胀系数(℃-1) | αa=5.6×10-6 |
晶格常数(nm) | a=0.3189 |
电子迁移率（cm-2·V-1·s-1） | 900 |
击穿电场(MV·cm-1) | 4.9 |
JFM指数（power） | 790 |
BFM指数(SW) | 910 |
BHFM指数(RF) | 100 |