介绍：碳化硅衬底是第三代半导体材料，属于宽禁带半导体材料。碳化硅是由C和Si元素按1：1比例形成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料，硬度仅次于金刚石。它具有高硬度、高热导率、高击穿电场等优异特性。
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应用：激光剥离测试材料，半导体芯片材料的分析与测试，高端光学领域。
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产品规格书
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碳化硅晶棒及特殊尺寸规格 | |||
型号 | 4H-N导电型 ∣ 4H-HPSI高纯半绝缘型 | ||
类型 | 晶锭与晶棒 | 晶片 | 异形规格 |
尺寸规格案例1 | 4英寸*T10mm晶棒 | 2英寸*T3.0mm厚片 | 碳化硅圆环方块 |
尺寸规格案例2 | 6英寸*T20mm晶棒 | 2英寸*T0.1mm超薄 | 碳化硅眼镜光学镜片 |
尺寸规格案例3 | 8英寸*T20mm晶棒 | 3英寸*T5.0mm厚片 | 碳化硅打孔 |
尺寸规格案例4 | 2~8寸晶锭 | 6英寸*T1.0mm厚片 | 碳化硅激光切割 |
尺寸规格案例5 | 晶棒抛光 | 直径159*T0.725mm载片 | 碳化硅雕刻 |
表面状态 | 切割 | 研磨 | 抛光 |
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产品性能表
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碳化硅单晶 Silicon carbide | |
晶体结构 | 六方晶体 |
禁带宽度(eV) | 3.26eV |
熔点（℃） | 2730℃ |
莫氏硬度(mohs) | 9.2 |
热导率(W·cm-1·℃-1) | 4.9W·cm-1·℃-1 |
热膨胀系数(℃-1) | 4.7×10-6 |
晶格常数(nm) | a=0.3076 c=0.5048 |
电子迁移率（cm-2·V-1·s-1） | 720a 650c |
击穿电场(MV·cm-1) | 3.1 |
JFM指数（power） | 410 |
BFM指数(SW) | 290 |
BHFM指数(RF) | 34 |
折射率 | 2.6767～2.6480 |
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