碳化硅（SiC）是Ⅳ-Ⅳ族二元化合物, 也是元素周期表Ⅳ组元素中**的稳定固态化合物, 是一种重要的半导体材料。 它具有优良的热学、力学、化学和电学性质, 不仅是制作高温、高频、大功率电子器件的优质材料之一，也可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料。目前用于衬底的碳化硅以4H为主，导电类型分为半绝缘型（非掺、掺杂）与N型。
常用规格：
4H-N型碳化硅晶片
尺寸：2英寸直径50.8mm | 4英寸直径100mm | 6英寸直径150mm
晶向：off axis 4.0˚ toward <1120> ± 0.5˚
电阻率：<0.1 ohm.cm
表面粗糙度：Si面 CMP Ra <0.5nm, C面 Ra <1 nm
4H-半绝缘型碳化硅晶片
尺寸：2英寸直径50.8mm | 4英寸直径100mm | 6英寸直径150mm
晶向：on axis {0001} ± 0.25˚
电阻率：>1E5 ohm.cm
表面粗糙度：Si面 CMP Ra <0.5nm, C面 Ra <1 nm
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