砷化稼晶片
可提供高质量砷化镓衬底片GaAs wafer定制服务。
尺寸：1",2",3",4",6";
晶向：(100),(111)和偏2°、4°、6°、10°、16°等各种偏角；
类型：N-type掺Si,P- type掺Zn,半绝缘Undope;
厚度：100um、120um、350um、400um、500um、600um、625um;
提供“激光领域”用高质量超薄双抛GaAs;提供光学透过可用的双抛半绝缘GaAs;
提供高质量低位错的EPD<500、<300、<100、<50的高质量LD级外延用GaAs;