碳化硅SiC
供应2,3,4,6英寸，切割小块的SiC碳化硅晶片。
碳化硅(SiC)是一种性能优越的新型化合物半导体材料。
碳化硅半导体具有大禁带宽度(约为硅的3倍)、高临界场强(约为硅的10倍)、
高热导率(约为硅的3倍)等优良特性，是制作高温、
高频和大功率电力电子器件(电力芯片)的理想半导体材料。
同时，也是仅次于钻石的优良的半导体材料。
目前我们还提供标准的2英寸、3英寸、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片，
用于肖特基二极管(SBD)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、
结型场效应晶体管(JFET)和双极结型晶体管(BJT)的制作。
这些电力电子器件可广泛应用于包括太阳能逆变器、风
力发电、混合动力及电动汽车等绿色能源和节能系统。
尺寸：2,3,4,6英寸；
晶向：On axis：±0.5°for 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI
Off axis：4.0° toward 1120±0.5°for4H-N/4H-SI
厚度(um)：350±25
直径(mm)：50.8±0.3
表面粗糙度：Polish Ra≤1nm，CMP Ra≤0.5nm