| 货号 | CAS号 | 编号 | 包装 | 参数 |
| 101029 | 1317-33-5 | XF163 | 1 盒 | 基底尺寸: 8 mmx6 mm |
产品名称
中文名称: CVD氧化硅/硅基底单层二硫化钼
英文名称：Single Layer MoS2 on SiO2/Si
性质
形态：薄膜
参数
基底：二氧化硅/硅
基底尺寸：8 mm*6 mm
氧化层：300nm
片径范围：20-50 μm
厚度：0.6～0.8 nm
应用
先丰纳米**推出CVD法制备的单层二硫化钼，相比较锂插层制备的单层二硫化钼，该产品具有缺陷少，层数可控，优异的光学性质，是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料，欢迎咨询。