Low-K半导体的发展
HGL1151系列是集成了通用智能核心技术的半导体晶圆Low-K层开槽设备，全自动一站式加工，
晶圆上料→预清洗+保护层涂布→激光开槽→后清洗+干燥→晶圆下料，所有工艺过程一气呵成。
产品全系采用高性能激光器及空间光整形系统，标配超高精密气浮式高速加工平台，
切割过程实时监控··实时纠偏等功能，确保Low-K晶圆开槽的精度一致性和质量的稳定性。
本产品的开槽精度高，槽形优异，尤其对热影响区的控制达到国际**水准。
主要技术性能达到国内**，部分技术性能超过国际同类产品，
是全面替代进口开槽设备的**选择。
Low-K激光开槽工艺优势
• 非接触加工、无物理应力、无晶圆碎裂风险 • 通过动态激光实时控制，工艺设置简单灵活
①自由改变开槽宽度
②自由设置槽底平滑度
• 运用方便，运用成本低
①一次定位、一次清洗，
②工艺过程清洁
③无环境污染
④基本无耗材，运用成本极低
Low-K晶圆开槽设备工位
技术原理
• 运用高性能空间光整形技术按需调制输出激光形态
①切割道两侧以极细的双光束刻画出边界细槽
②以平顶多光束激光在边界槽内侧切割道开槽
• 运用高性能实时动态激光控制技术确保开槽精度
①实时控制激光束对槽壁垂直度的加工精度
②实时控制激光束对槽底平整度的加工精度
• 超快速脉冲激光束对Low-K材料进行精确去除
• 开槽周边热影响区控制在5μm以内