司掌握了国内外企业、高等院校和研究院所的先进生产技术和研究成果，设计了国内******氮化硅陶瓷基板自动化生产线，产品经多家用户检测和军方权威机构检测，验证结果与国外产品相当，局部优于国外产品。
氮化硅（Si3N4）基板与BeO、Al2O3和AlN基板相比较，具有综合性能******、使用寿命***长（是AlN的15~20倍）、可靠性******的特点，详细如下：
l 绝缘性好：电阻率=1.0×1015~1016，电阻率约是BeO和AlN的10倍，Al2O3的10万倍
l 导热性强：热导率=80-177（理论值达320），热导率是Al2O3的3倍以上，与AlN相当，略逊于BeO
l 反应灵敏：介电常数=9.4，与Al2O3和AlN相当
l 热稳定：热膨胀系数=3，远低于BeO，比AlN低，约为Al2O3的1/3
l 寿命长：耐热循环次数=2000~5000次，是AlN和Al2O3的15~20倍，大大降低设备折旧成本
l 抗振动：高模量、机械强度大。
l BeO属于剧毒产品，仅用于要求特殊的航天和导弹战斗部
l Al2O3和是目前价格*********的基板，但是其导热性和使用寿命远远不能满足第三代半导体产业的要求。
l AlN的主要问题是价格高（与Si3N4相当）但可靠性只有Si3N4的十分之一。
l Si3N4基板具有向下兼容的特点，无需验证即可直接替代上述三种基板，不必再次验证。
l 随着Si3N4相基板的产量的增加和价格的下降，将逐步代替原来由Al2O3和AlN占据的市场份额，
(二) 新颖性、先进性和独特性
l 产品属于国家“核高基”领域的军民两用卡脖子产品，在细分行业处于领军地位，市场紧缺，替代进口。
l 设计了国内******氮化硅陶瓷基板自动化生产线，严格的预处理技术和先进的生产技术保证了氮化硅基板在微量元素含量、N/O比值、表面粗糙度、晶粒尺寸和晶间相等方面的严格要求，晶格缺陷大大减少了，性能指标大大提升。
l 形成了既满足量大面广的民用产品的要求、还可提供高性能指标的基板和/或基片，形成高低搭配的、*********的系列产品生产技术体系。