产品介绍
氮化硅专用烧结炉采用非接触式高温测量设计、具有真空系统过滤保护与独特的脱蜡系统及尾气处理设计。主要对硬质合金、金属陶瓷等材料进行真空、加压，使产品密致化等。主要应用于航空航天、轨道交通、半导体等新材料领域。
产品参数
| 装料空间（W*H*L） | 500*500*1300、500*500*1500、500*500*1800 |
| 设计标准 | JB4732-1995（2005年确认版） |
| 设计寿命 | 20年/6000炉次 |
| **温度 | 2000℃ |
| **压力 | 10MPa |
| 真空泄漏率 | ≤5×10-3 mbarl/s |
| 高压升压速率 | ≤5bar/min |
| 升温速率 (满载、<1000℃） | ≤10℃/min |
| 升温速率 (满载、≥1000℃） | ≤6℃/min |
| 温度均匀性 | ≤±5℃ |
| 测温方式 | WRe5-26双芯热电偶 |
| 加热区数 | 三区/四区 |
| 具备功能 | 正压脱蜡、负压脱蜡、真空烧结、压力烧结、带电降温、加压快冷、真空冷却 |
| 工艺气体种类 | N2 Ar |