用途与特点: 用于高纯硅晶体生长,为晶体生长提供热量,局部温度可达2200℃以上
| 推荐牌号 | KBC13 |
| 密度(g/cm3) | ≥1.25 |
| 弯曲强度(MPa) | ≥60 |
| 热膨胀系数(10-6/℃) | <1.0 |
| 室温导热系数(W/(m• K)) | <10 |
| 室温电阻率(μΩ•m) | 20-45 |
用途与特点: 用于高纯硅晶体生长,为晶体生长提供热量,局部温度可达2200℃以上
| 推荐牌号 | KBC13 |
| 密度(g/cm3) | ≥1.25 |
| 弯曲强度(MPa) | ≥60 |
| 热膨胀系数(10-6/℃) | <1.0 |
| 室温导热系数(W/(m• K)) | <10 |
| 室温电阻率(μΩ•m) | 20-45 |
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