技术指标
●适用晶片尺寸 ： 2~8英寸圆片
●工作温度： 600℃～1300℃；
●可配工艺管数量：1~2管/台
●恒温区长度及精度：≤±0.5℃/300~600mm （800℃～1300℃），
● 单点温度稳定性：≤±0.5℃℃ /24h （1100℃）；
●温度斜变能力：**升温速率20℃/min，**降温速率5℃/min；
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扩散氧化炉（科研型）
详细信息 技术指标 ●适用晶片尺寸 ： 2~8英寸圆片 ●工作温度： 600℃～1300℃； ●可配工艺管数量：1~2管/台 ●恒温区长度及精度：≤±0.5℃/300~600mm （800℃～1300℃）， ● 单点温度稳定性：≤±0.5℃℃ /24h （1100℃）； ●温度斜变能力：**升温速率20℃/min，**降温速率5℃/min； |