1. 设备用途
本设备主要供大专院校、科研单位等针对金属化合物、陶瓷、无机化合物、纳米材料等在真空或保护气氛的条件下进行加压加热烧结处理，以便获得高致密度的产品，例如生产高精度氮化硅陶瓷轴承等。
2. 方案图
3. 主要技术参数
3.1 电源：三相380V 50Hz
3.2设计温度：2200℃
3.3额定温度：室温-2100℃
3.4控温区数：一区
3.5控温方式：1200℃低温时候热电偶测温，1200℃以上高温红外测温
3.8控温精度：≤±1℃。
3.9冷态极限真空度：≤6.7*10-3Pa（空炉、冷态、烘烤除气后）
3.10充气气氛：惰性气体
3.10充气压力（微正压）：≤0.03MPa
3.11***压力：10T（数显、自动调压、自动保压、伺服电动控制）
3.12工作区域压头尺寸直径：Ф150 mm
3.13 样品尺寸：Ф50-80mm
3.13压力波动：≤±0.01KN，位移精度≤0.01mm
3.14压力行程：0～100mm（数显）
3.15压力控制：伺服电动缸
3.16 控制方式：触摸屏+plc模