6英寸SiC导电型衬底晶锭

项目

性能

参数

晶体参数

表面晶向

Surface orientation

4.0°  toward [11-20]± 0.5°

4H晶型面积

areas

100%

边缘多晶

Edge polycrystal

无

机械参数

直径(mm)

Diameter

150±0.1

参考面方向

Primary flat orientation

<11-20>±5.0°

参考面长度(mm)

Primary flat length

47.5±1.5

电学参数

电阻率  (2 · cm)

Resistivity

0.01-0.03

掺杂剂

Dopant

N型掺氮

缺陷参数

微管密度(个/cm2)

Micropipe Density

≤0.5

基平面位错BPD(个/cm2)

≤7000

表面质量

裂纹

Cracks

无